No podrás conectarte si excedes diez intentos fallidos.
La Agencia SINC ofrece servicios diferentes dependiendo de tu perfil.
Selecciona el tuyo:
Científicos portugueses del Centro de Investigación de Materiales (Cenimat-I3N) de la Facultad de Ciencias y Tecnología de la Universidad Nueva de Lisboa han producido el primer "transistor de efecto campo" (FET) con una capa de papel utilizada como "inter-estrato". Se trata de un nuevo dispositivo, cuyas características eléctricas rivalizan con la tecnología más reciente de transistores de película delgada basados en óxido (TFTs) que se fabrican sobre sustratos de vidrio o de silicio cristalino.
En la actualidad existe un interés creciente por el uso de biopolímeros para aplicaciones electrónicas de bajo coste. Debido a que la celulosa es el biopolímero más abundante de la Tierra, varios equipos internacionales han informado de las posibilidades del uso de papel como soporte físico (substrato) de dispositivos electrónicos, aunque hasta ahora nadie había utilizado papel como componente inter-estrato de un FET.
Aplicando un enfoque totalmente nuevo, científicos de Cenimat-I3N, coordinados por los investigadores Elvira Fortunato y Rodrigo Martins, han utilizado una hoja de papel común como capa dieléctrica en FETs de óxido. El equipo de científicos fabricó los dispositivos en ambas caras de la hoja de papel. De ese modo, el papel actúa simultáneamente como aislante eléctrico y como substrato. "Es un dos en uno", ha dicho Elvira Fortunato.
Asimismo, la caracterización eléctrica de los dispositivos ha mostrado que el rendimiento de los FET híbridos es superior al de los TFTs de silicio amorfo, y rivalizan con la tecnología actual de transistores de película fina de óxido. Los resultados sugieren que se podrían desarrollar nuevos dispositivos electrónicos desechables, como pantallas de papel, etiquetas inteligentes, envases inteligentes, bio-aplicaciones, y etiquetas RFID, entre otros.
Solo para medios:
Si eres periodista y quieres el contacto con los investigadores, regístrate en SINC como periodista.
Un equipo internacional de científicos, liderados desde el Instituto de Nanociencia y Materiales de Aragón, ha creado el primer imán duro de espesor atómico. El avance tiene aplicaciones potenciales en dispositivos tecnológicos que requieren un campo magnético definido, como las memorias RAM de los ordenadores.
En la interfaz entre dos capas rotadas de titanato de bario, con solo unos pocos átomos de espesor, aparecen propiedades que podrían revolucionar la ciencia de los materiales ferroeléctricos y ser útiles en la electrónica e informática del futuro. Los detalles los publican en Nature investigadores de la Universidad Complutense de Madrid.
